第490章 为量子芯片提供理论基础

  第490章 为量子芯片提供理论基础

  徐川进入自己的办公室钻研东西，樊鹏越一开始也没在意，以为很快就能出来。

  结果等到第二天，他在开会的时候，才突然想起来这事。

  摸出手机打了电话，才发现这位小师弟已经跑回自己的别墅去了。

  书房中，徐川挂断了电话，看着桌上的稿纸，上面已经写满了密密麻麻的字符，继续着手中的研究。

  灵感已经抓到，他想着一鼓作气，直接完善这套理论。

  “.考虑掺杂剂在空间群(sg)的晶格中的规则放置，这将对称性降低到cuc143，而双带和四带模型的特点是＄\ gamma＄和a处的对称强化双weyl点.”

  “由于混合轨道特征的非平凡多带量子几何，以及一个奇异的平带。引入cu原子形成磁力阱后的高温铜碳银复合材料在密度泛函理论(dft)计算的极好一致性提供了在掺杂材料中可以实现费米能级的最小拓扑能带的证据。”

  “理论上来说，这已经足够为构建拓扑量子材料提供基础了。”

  看着稿纸上的字眼，徐川眼中露出了一丝满足。

  三天的废寝忘食加熬夜，他抓住了那一丝偶得的灵感，将其全面铺开延伸，在强关联电子大统一框架理论的基础上，将拓扑物态纳入了进来。

  高临界磁场的超导材料在模拟实验中已经得到了数据支持，接下来自然是将其通过真正的实验制备出来了。

  所以传统的硅脂芯片基本上已经达到极限了，如果到了1nm之后还强制加入更多的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。

  目前amsl，台积电等公司已经做到了能生产三纳米，甚至是两纳米的芯片了。

  而从这里开始，就是转折点了。