第374章 都是韭菜，不分高低贵贱
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  “我们的等效十纳米工艺是基于十四纳米工艺的深度研发而来，项目团队已经为这个工艺努力了两年之久。”
  “等效十纳米工艺对比我们的等效十四纳米工艺，性能上有了较大幅度的提升，栅极间距从之前的七十纳米，缩小到了六十四纳米，最小金属间距从六十纳米缩小到了四十四纳米。”
  “晶体管密度的数量，从之前的第一代十四纳米工艺的三千五百六十万个每平方毫米，提升到了五千三百万个每平方毫米。“
  “同时我们还应用了十二纳米工艺里的部分技术，比如通过增加栅极高度，降低漏电概率等技术，这使得我们的芯片在不增加晶体管密度的情况下，做到同等频率性能下，功耗能降低百分之三十以上。”
  “这些先进技术，我们也同样应用到了等效十纳米工艺上，进一步提升了性能！”
  “综合目前的条件来看，我们的等效十纳米工艺几乎已经是做到了当下技术的极限，台积电以及四星方面是不太可能超过我们的！”
  “虽然目前还没有准确的情报，但是他们的等效十纳米工艺在晶体管数量上，应该和我们的等效十纳米工艺差不多，彼此有一些差距，但是不会太大！”
  “但是我们在漏电率控制上拥有极大的优势，这一领域里我们从二十八纳米工艺时代开始就长期拥有优势，直到如今依旧如此！”
  “这也是我们的一系列低功耗工艺，在性能上长期领先竞争对手的原因之一！”
  “而手机各类芯片，尤其是soc芯片，又是属于对功耗最为敏感的芯片种类！”
  “因此使用我们的新等效十纳米工艺生产的s803芯片，至少在制造技术上是有优势的！”
  “哪怕彼此的晶体管密度差不多，我们也能够依靠漏电率控制方面的领先，在同样的功耗下，把芯片的频率拉的更高；或者同样的频率下，把功耗降低下来！”
  智云微电子的丁成军，说话的时候信心非常的充足。
  在半导体工艺这一领域上，目前的智云微电子毫无疑问已经成为了全球最顶级的半导体制造厂商，而这种领先可不仅仅是单纯的等效工艺，晶体管密度的领先，其实还有漏电率上的领先。
  在先进芯片领域里，晶体管密度以及漏电率控制都是属于芯片工艺里极为重要的技术参数。